• 대한전기학회
Mobile QR Code QR CODE : The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
  • COPE
  • kcse
  • 한국과학기술단체총연합회
  • 한국학술지인용색인
  • Scopus
  • crossref
  • orcid




Inclined dielectric media, Dielectric constatns, Interpolation

1. 서 론

전력 사용의 급증과 새로운 전자제품 등의 개발로 인하여 전기기기 및 전자제품은 새로운 기하학적인 형태를 갖추고 있을 뿐만 아니라, 사용되는 전기기기 및 전자제품은 소형화되고 있는 추세이다. 다양한 모양과 소형화된 크기로 인하여 같은 인가전압 대비 내부에 발생하는 전기장의 크기는 증가할 뿐만 아니라, 전기장의 분포가 다양한 형태로 나타나게 된다. 저주파 대역에서는 전기장과 자기장을 나누어서 계산이 가능하나, 본 논문에서는 전기장이 인가되는 영역에 대해서 절연내력이나 전기장의 집중이 발생될 경우, 예를 들면 특이점에 해당하는 삼중점(Triple Junction Point) 등에서 전기장이 집중되는 경우가 빈번하므로 또한 전기장의 집중으로 인한 절연파괴나 부분방전이 일어나므로 전기장의 계산은 상당히 중요하다. 전기장의 계산을 위하여 많은 상용수치해석 프로그램이 개발되어 판매되고 있으나, 수치해석 프로그램은 고가이며 처리 속도가 빠른 CPU와 용량이 큰 메모리가 필요하다. 또한 수치해석 프로그램을 통한 계산은 실제 현상에서 발생하는 물리적 의미를 간과하기 쉽게 만든다. 따라서, 본 논문에서는 기존에 다루지 않았던 수직으로 배치되거나 수평으로 배치되어 있지 않은 비스듬하게 경사진 형태로 맞닿아 있는 유전체에 대한 수학적 전기장 해석 방법을 논하고자 한다. 실제로 유전체끼리 비스듬하게 경사진 형태로 맞닿아 있는 경우 수학적으로 전기장의 식을 유도하는 것은 상당히 까다로운 문제이다. 따라서, 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여, 비스듬한 경사진 맞닿아 있는 유전체 계면에서의 부분에서 유전율이 급격하게 바뀌므로 해당 유전율의 불연속을 해당 위치에 대한 내삽(Interpolation)을 취하여 모델링하여 유전체 계면에서의 전기장의 값을 구하고자 한다. 본 논문에서 유도한 방법을 통한 전기장의 값을 Matlab으로 계산하고, 수치해석 프로그램인 Maxwell을 이용하여 서로의 전기장의 값을 비교하여 유효성을 검증하고자 하며 본 논문에서 유도한 방법에 대한 연구결과는 특히, 원통형의 기하학적 형태로 전압이 인가되는 구조에서 유전율이 서로 다른 매질이 정확히 직각으로 접하지 않고 비스듬한 각도를 이루는 경우에 삼중점(Triple Junction Point)에서의 전기장을 구하거나 두 매질이 만나는 계면에서의 전기장을 구하는데 큰 도움을 줄 것으로 판단된다.

2. 전기장 해석식 유도

2.1 유전율의 불연속 내삽을 이용한 해석식 유도

본 논문에서는 비스듬히 기울어진 모델 계면에 대한 전기장을 계산하기에 앞서, 해당 계면에서의 유전율의 불연속을 해당 위치에 대한 내삽(Interpolation)을 이용하여 구하고자 한다. 기존의 연구에서는 계면에서의 정확한 전기장을 구하는 것이 아닌 최대 발생 가능한 전기장 대비 비율의 형태로 표현이 되었고, 재귀함수의 형태로 표현이 되었다 (1-24). 실제 기울어진 형태에 대해서 구하는 경우 일종의 좌표변환의 형태인 등각사상법으로 구할 수 있을 것이라고 판단이 가능하지만 기존의 연구 등에서 보듯이 전압 인가 전극과 접지 전극이 평행하지 않은 경우에 대해서만 다루었다 (25-27). 그 이유는 본 논문의 주제에 해당하는 경우에 대해서는 좌표변환을 할 경우 경계조건을 만족하는 것에 대하여 표현하기가 상당히 어렵기 때문이다. 따라서 본 논문에서는 계면에서의 유전율의 불연속 특성을 이용하고자 한다. 계면에서의 유전율의 불연속은 단위 계단 함수(Heaviside unit-step function)으로 유전율을 표현할 수 있으나, 단위 계단 함수의 경우를 적용하는 경우는 점근함수(Asymptotic Function)를 사용하는 것이 까다로울뿐더러, 미분계수 즉 해당 지점에서의 기울기가 상당히 크기 때문에 향후 연구에서 다루고자 한다. 따라서, 본 논문에서는 해당 위치에 대한 내삽을 일차함수의 형태로 유전율의 식을 근사화하여 구하고자 한다. 먼저 유전율의 불연속을 일차함수의 형태로 근사화하는 것에 대한 모델은 그림 1과 같다.

그림. 1. 유전율의 불연속에 대한 일차함수 근사

Fig. 1. Linear Function Approximation about Dielectric Constants Discontinuity

../../Resources/kiee/KIEE.2023.72.12.1686/fig1.png

그림 1은 유전율의 계면에서의 불연속에 대한 일차함수로의 근사방법을 보여준다. $x=-x_{1}$인 경우에 $V_{0}$의 전압이 인가되며 $x=x_{2}$인 경우는 접지가 되어 있는 형태이다. $- x_{1}\le x<\dfrac{-h}{2}$인 경우 매질의 유전율은 $\epsilon_{1}$이며, $\dfrac{h}{2}<x\le x_{2}$인 경우 매질의 유전율은 $\epsilon_{2}$이고, $h$가 0으로 수렴함에 따라 실제 본 논문에서 다루고자 하는 형태가 되는 것을 알 수가 있다. 본 논문에서 다루고자 하는 라플라스 방정식은 유전율의 값이 위치에 따라 다른 형태이므로 아래 표현된 식(1)과 같이 나타난다.

(1)
$del\bullet(\epsilon del\Phi)=\epsilon del^{2}\Phi +del\epsilon\bullet del\Phi =0$

$- x_{1}\le x<\dfrac{-h}{2}$인 경우는 유전율이 일정한 형태이므로 식(1)의 $del\epsilon =0$이 된다. 마찬가지로 $\dfrac{h}{2}<x\le x_{2}$인 경우도 유전율이 일정한 형태이므로 식(1)의 $del\epsilon =0$이 된다. 따라서, 식(2)와 같은 형태로 나타낼 수 있다.

(2)
$\dfrac{d^{2}\Phi}{d x^{2}}=0(- x_{1}\le x<\dfrac{-h}{2},\:\dfrac{h}{2}<x\le x_{2})$

전압의 이계도함수가 0이므로 전압은 위치에 따른 일차함수로 표현할 수가 있다. 그러므로 각 부분에 대한 전압과 관련된 식은 아래에 표현되는 식(3)식(4)로 구할 수 있다.

(3)
$\Phi =A(x+ x_{1})+ V_{0}$ $(- x_{1}\le x<\dfrac{-h}{2})$

(4)
$\Phi =C(x- x_{2})$ $(\dfrac{h}{2}<x\le x_{2})$

유전율이 일정한 부분에서는 위의 식(3)식(4)와 같이 전압이 나타난다. 그러나, 계면에서의 전압과 관련된 식은 유전율의 변화가 있으므로 위의 식(1)을 그대로 사용할 수 있다. $\dfrac{-h}{2}\le x\le\dfrac{h}{2}$인 경우 유전율의 값이 $\epsilon(x)=mx+n$의 형태이므로 아래 식(5)와 같이 표현할 수 있다.

(5)
$(mx+n)\dfrac{d^{2}\Phi}{d x^{2}}+m\dfrac{d\Phi}{dx}=0$

식(5)에서 전기장 $E=-\dfrac{d\Phi}{dx}$이므로 식(6)과 같이 나타낼 수 있다.

(6)
$(mx+n)\dfrac{d E}{dx}+m E=0$

식(6)의 해를 구하면 $E=\dfrac{k}{mx+n}$의 형태로 나타난다. 따라서, 전압은 $\Phi =k'\ln(mx+n)$으로 표현할 수 있고, $E=k'\dfrac{m}{mx+n}$으로 표현이 가능하다. $x=\dfrac{-h}{2}$일 때와 $x=\dfrac{h}{2}$일 때의 전기장의 값이 연속이므로 식(3)식(4)를 이용하여 식(7)식(8)을 구할 수 있다.

(7)
$A=k'\dfrac{m}{mx+n}=k'(\dfrac{\epsilon_{2}-\epsilon_{1}}{\epsilon_{1}h})$ $(m=\dfrac{\epsilon_{2}-\epsilon_{1}}{h},\: n=\dfrac{\epsilon_{1}+\epsilon_{2}}{2},\: x=\dfrac{-h}{2})$

(8)
$C=k'\dfrac{m}{mx+n}=k'(\dfrac{\epsilon_{2}-\epsilon_{1}}{\epsilon_{2}h})$ $(m=\dfrac{\epsilon_{2}-\epsilon_{1}}{h},\: n=\dfrac{\epsilon_{1}+\epsilon_{2}}{2},\: x=\dfrac{h}{2})$

전체구간$(- x_{1}\le x\le x_{2})$을 전기장의 크기에 대하여 적분을 하면 전체 전압이 나타나므로 식(7)식(8)을 이용하여 식(9)와 같이 나타낼 수 있다.

(9)
\begin{align*} A(x_{1}-\dfrac{h}{2})+\int_{\dfrac{-h}{2}}^{\dfrac{h}{2}}k'\dfrac{m}{mx+n}dx+C(x_{2}-\dfrac{h}{2})= V_{0}\\ k'(\dfrac{\epsilon_{2}-\epsilon_{1}}{\epsilon_{1}h})(x_{1}-\dfrac{h}{2})+k'\ln(\dfrac{\epsilon_{2}}{\epsilon_{1}})+k'(\dfrac{\epsilon_{2}-\epsilon_{1}}{\epsilon_{2}h}) (x_{2}-\dfrac{h}{2})= V_{0} \end{align*}

따라서 계수 $k'$는 아래 식(10)과 같이 나타난다.

(10)
$k'=\dfrac{V_{0}}{\ln(\dfrac{\epsilon_{2}}{\epsilon_{1}})+[\dfrac{(\epsilon_{2}-\epsilon_{1})}{\epsilon_{1}h}(x_{1}-\dfrac{h}{2})+\dfrac{(\epsilon_{2}-\epsilon_{1})}{\epsilon_{2}h}(x_{2}-\dfrac{h}{2})]}$

그러므로 계면에서의 전기장 $E$는 아래 식(11)과 같이 최종적으로 나타낼 수 있다.

(11)
$E=\dfrac{V_{0}}{\ln(\dfrac{\epsilon_{2}}{\epsilon_{1}})+[\dfrac{(\epsilon_{2}-\epsilon_{1})}{\epsilon_{1}h}(x_{1}-\dfrac{h}{2})+\dfrac{(\epsilon_{2}-\epsilon_{1})}{\epsilon_{2}h}(x_{2}-\dfrac{h}{2})] [x+\dfrac{(\epsilon_{1}+\epsilon_{2})h}{2(\epsilon_{2}-\epsilon_{1})}]}$

따라서 본 논문에서는 유도된 전기장과 관련된 식(11)을 이용하여 계면에서의 전기장을 구하고자 한다.

그림. 2. 계면에서의 전기장 계산 방법

Fig. 2. Electric Field Calculation Method at the Interface

../../Resources/kiee/KIEE.2023.72.12.1686/fig2.png

본 논문에서는 계면에 해당하는 지점을 앞서 표현한 방법대로 원점으로 정하여 $x_{1}=d-x\tan\theta$, $x_{2}=x\tan\theta$로 하여 $0\le x\le\dfrac{d}{\tan\theta}$인 구간의 점들에 대해서 식(11)을 이용하여 전기장을 구하게 된다.

2.2 사례 연구

2.1절을 통하여 유도한 전기장 계산식을 이용하여 구한 식을 검증하기 위하여 간단한 실험을 진행하였다. 실제로 여러 경우에 대하여 실험을 수행하기가 곤란하여 계면 각도가 45°인 경우와 아크릴판을 이용하여 간단한 시험을 수행하였다. 너비와 높이와 길이가 각각 1[m]인 정육면체에 대해 아래 그림 3과 같은 실험방식을 이용하여 전압을 측정하는 방식으로 진행하였다.

그림. 3. 검증을 위한 간단한 실험구성도

Fig. 3. Simple Experiment Block Diagram for Verification

../../Resources/kiee/KIEE.2023.72.12.1686/fig3.png

전압 500[V]를 인가하여 1[m]의 높이로 길이와 너비 방향으로 개방되어 있는 형태로 구성하여 실험을 진행하였다. 내부의 전기장을 측정하는 방식이 상당히 곤란하므로 본 논문에서는 A지점(접지부분에서 1/4 높이 위 지점)과 B지점(인가전극부분에서 1/4 높이 아래 지점)에 대한 전압을 1000:1 프로브를 통하여 측정하여 오실로스코프에서 전압값을 측정하는 형태로 구성을 하였다. 아크릴판의 유전율은 2.56이라고 정하여 계산을 하였다. 유전율의 값이 실제로는 보통 주파수에 대한 함수이지만 본 논문에서는 DC에서의 유전율을 사용하였다. 전압은 A 지점에서 502.24[V], B 지점에서 805.72[V]로 측정되었으며 전체 높이가 1[m]이므로 A 지점에서는 502.24[V/m], B 지점에서는 805.72[V/m]로 전기장이 측정되었음을 알 수 있었다. 실험결과와 본 연구에서 유도한 계산식을 통한 결과에 대한 그림은 아래 그림 4와 같다. 간단한 실험이지만 아래 그림 4와 같이 전기장의 크기가 거의 비슷함을 알 수가 있었기 때문에 해석식의 신뢰성을 갖추고 있다고 판단을 하였다.

그림. 4. 해석식과 실험결과와의 비교

Fig. 4. Comparision between Analytical Results and Experimental Results

../../Resources/kiee/KIEE.2023.72.12.1686/fig4.png

그림. 5. 계면 각도가 30°일 때의 전기장 크기 (시뮬레이션 결과)

Fig. 5. Electric field intensity magnitude for 30° (Simulation Result)

../../Resources/kiee/KIEE.2023.72.12.1686/fig5.png

그림. 6. 계면 각도가 45°일 때의 전기장 크기 (시뮬레이션 결과)

Fig. 6. Electric field intensity magnitude for 45° (Simulation Result)

../../Resources/kiee/KIEE.2023.72.12.1686/fig6.png

그림. 7. 계면 각도가 60°일 때의 전기장 크기 (시뮬레이션 결과)

Fig. 7. Electric field intensity magnitude for 60° (Simulation Result)

../../Resources/kiee/KIEE.2023.72.12.1686/fig7.png

2.1절을 통하여 유도한 전기장 계산식을 이용하여 Matlab으로 전기장을 계산하고, 비교 검증을 위하여 상용프로그램인 Maxwell을 사용하였다. 인가되는 전압은 50[kV]로 설정하고, 전극 간 거리는 5[cm]로 설정하였다. 비유전율은 2, 4, 6, 8, 10의 경우로 나누어서 계산을 하였고, 계면의 각도는 30°, 45°, 60°의 경우로 각각 나누어서 계산을 하였다.

그림 5, 그림 6그림 7에서 보듯이 본 절에서 유도된 해석식을 이용한 결과와 상용프로그램인 Maxwell을 이용하여 구한 데이터를 비교한 결과, 값이 거의 일치함을 보였다. 그러나, 대부분의 경우 삼중점(Triple Junction Point) 부근에서는 즉, 고압전극과 두 개의 유전체가 만나는 부분과 접지전극과 두 개의 유전체가 만나는 부분의 경우에서는 상용프로그램을 사용할 시 메쉬를 나누는 문제뿐만 아니라, 경계조건을 만족해야 하는 경우 에러가 많이 발생할 수 있는 특이점의 경우이기 때문에 상용프로그램을 이용하여 전기장을 구한 경우 삼중점(Triple Junction Point) 부근에서 전기장의 크기가 변곡점을 갖고 꺾이는 형태로 나타남을 알 수 있었다. 특이점에서 변곡점을 갖고 꺾이며 경로에 따른 적분값이 경계조건인 인가전압을 만족해야 하므로 고압전극 부근의 전기장이 상승하면 접지전극 부분의 전기장은 감소하는 형태를 나타내었다. 또한 해석식을 이용한 결과의 경우 특히 그림 5의 계면 각도가 60°일 경우에는 본 논문에서 고려한 모델이 유전율의 불연속을 이용하여 구한 모델이므로 계면의 각도가 90°로 증가하면 전기장에 대한 유전율의 불연속의 영향이 줄어들게 되므로 해석식의 결과와 수치 해석프로그램을 이용하여 계산된 결과와 일치하지 않는 부분이 다른 경우보다 상대적으로 많음을 알 수 있었다.

3. 결 론

본 논문에서는 비스듬하게 기울어진 계면을 이루고 있는 유전체 구조물에 대하여 서로 다른 유전체의 유전율의 불연속을 일차함수로 근사화하여 계면에서의 전기장을 구하는 근사적인 방법을 도출하였다. 유전율의 불연속은 일종의 단위 계단 함수(Heaviside unit-step function)을 이용하는 것이 맞으나 본 함수에 대한 점근함수(Asymptotic Function)을 이용하여 라플라스 방정식을 구하는 것은 매우 까다로운 문제이며, 복잡한 형태이므로 본 논문에서는 기울기가 급격한 형태의 일차함수로 근사화하여 비스듬하게 기울어진 계면을 이루고 있는 유전체 구조물에 대한 계면에서의 전기장을 구하는 해석방법을 도출하였다. 기존의 연구 등에서는 전기장의 값을 구하지 않고 비율만을 구하는 형태이며 재귀함수를 이용하는 형태로 표현되었으며, 인가전압을 제공하는 전극과 접지 전극이 서로 평행하지 않을 때 등각사상법 등의 방법으로 전기장을 계산하는 방법이 주류를 이루었다. 특히, 본 논문에서는 유전율의 급격한 변화를 일차 선형함수로 근사화하여 해당 경계조건을 만족하는 라플라스 방정식의 해를 수학적으로 구하여 계면에서의 전기장을 계산하였다. 수치해석 상용프로그램을 사용한 결과와 본 논문에서 유도한 수학적 방법을 사용한 결과를 비교 검토하였을 경우, 거의 일치하는 경향을 보이나, 계면의 각도가 90°에 가까이 갈수록 전기장의 유전율의 불연속에 대한 영향이 작아지므로 계면의 각도가 작은 경우에 비하여 상대적으로 불일치함을 보였다. 이는 향후 연구에서 경계조건에 대한 노이만조건(Neumann’s Condition)등을 고려해야 할 것으로 판단된다. 즉, 본 논문에서는 y축 방향의 전압에 대한 경계조건을 이용하여 유도를 하였으나 향후 연구에서는 x축 방향으로 전압이 아닌 전기장의 x축 방향이 영(zero)이 되는 조건 다르게 말하면 경계에서 x축 방향의 미소부분의 변화에 대한 전압의 변화가 거의 없다는 조건이 필요할 것으로 판단된다. 또한 유전율 차이가 매우 큰 매질들이 형성하는 삼중점에서의 전계해석의 경우 앞서 기술한 사례연구에서 보듯이 삼중점 부근에서는 전기장의 크기가 일치하지 않는 부분이 존재하였으나 이 단점을 보완하기 위하여 예를 들어 도체와 두 개의 유전체가 접촉하고 있는 삼중점에서 도체는 전도도가 상당히 크므로 도체 내부에 전하가 존재하지 않기 때문에, 도체를 유전율이 상당히 큰 유전체로 대신하여 모의할 수가 있다. 유전율이 상당히 크면 유전체 내부에 같은 전기장에 대하여 전하가 축적이 되지 않기 때문에 물리적으로 등가라고 모의할 수가 있다. 따라서, 통상적으로 발생하는 삼중점 문제의 경우는 유전율의 비율을 내분의 형태로 나누어서 전계를 해석하는 방법이 필요하다고 판단된다. 본 논문에서 유도한 방법과 수식이 전기기기 및 전자제품에서 발생하는 전기장의 경향을 분석하고, 고가의 상용 수치해석 프로그램이 없는 경우 간단한 스프레드시트(Spread Sheet) 프로그램을 가지고 전기장을 해석하고 예측할 때 도움이 될 것으로 판단된다. 또한 향후 연구에서 실제 유전율의 불연속을 단위 계단 함수 등을 이용한 방법으로 해석하는 방법을 연구하는 것이 실제 균일하지 않은 매질에 대해 해석을 할 때 필요하다고 판단된다.

Acknowledgements

본 연구는 국토교통부(국토교통과학기술진흥원)의 지원으로 진행된 국가연구개발사업(철도기술개발사업) “ETCS L3(이동폐색)급 열차제어시스템 기술 및 성능 검증, [과제번호: 16150 11809-163166]”의 연구비 지원으로 수행되었습니다.

References

1 
J. Mexiner, 1972, The Behavior of Electromagnetic Fields at Edges, IEEE Trans. on Antenna Propag., Vol. 20, pp. 442-446DOI
2 
T. Takuma, T. Kawamoto, H. Fujinami, 1982, Effect of Conduction on Field Behavior near Singular Points in Composite Medium Arrangements, IEEE Trans. on Electrical Insul., Vol. 17, pp. 269-275DOI
3 
T. Takuma, T. Kouno, M. Matsuda, 1978, Field Behavior Near Singular Points in Composite Dielectric Arrangements, IEEE Trans. on Electrical Insul., Vol. 13, pp. 426-435DOI
4 
T. Takuma, 1991, Field Behavior at a Triple Junction in Composite Dielectric Arrangements, IEEE Trans. on Electrical Insul., Vol. 26, pp. 500-509DOI
5 
T. Takuma, 2007, Field Enhancements at a Triple Junction in Arrangements Consisting of Three Media, IEEE Trans. on Dielectrics and Electrical Insul., Vol. 14, pp. 566-571DOI
6 
M. S. Chung, B. G. Yoon, 2004, Theoretical analysis of the enhanced electric field at the triple junction, Journal of Vacuum Science Technology, B, Vol. 22, pp. 1240-1243DOI
7 
B. Techaumnat, S. Hamada, T. Takuma, 2002, Effect of conductivity in triple junction problems, Journal of Electrostatics, Vol. 56, pp. 67-76DOI
8 
B. Techaumnat, T. Takuma, 2006, Electric field and force on a conducting sphere in contact with a dielectric solid, Journal of Electrostatics, Vol. 64, pp. 165-175DOI
9 
B. Techaumnat, S. Hamada, T. Takuma, 2001, Electric Field Behavior near a Contact Point in the Presence of Volume Conductivity, IEEE Trans. on Dielectrics and Electrical Insulation, Vol. 8, pp. 930-935DOI
10 
M. Mittra, S. W. Lee, 1971, Analytical Techniques in the Theory of Guided Waves, MacmillanDOI
11 
T. Takuma, T. Kawamoto, 1984, Field Intensification near various points of contact with a zero contact angle between a solid dielectric and an electrode, IEEE Trans. on Power Apar. Syst., Vol. 103, pp. 2486-2494DOI
12 
B. Techaumnat, S. Hamada, T. Takuma, 2002, Electric Field Behavior near a Zero-Angle Contact Point in the Presence of Surface Conductivity, IEEE Trans. on Dielectrics and Electr Insulation, Vol. 9, pp. 537-543DOI
13 
J. Van Bladel, 1985, Field Singularities at Metal-Dielectric Wedges, IEEE Trans. on Antennas Propag., Vol. 33, pp. 450-455DOI
14 
J. Bach. Andersen, V. V. Solodukhov, 1978, Field Behavior near a Dielectric Wedge, IEEE Trans. on Antennas Propag., Vol. 26, pp. 598-602DOI
15 
J. Van Bladel, 1983, Field Singularities at the Tip of a Cone, Proceedings of the IEEE, Vol. 71, pp. 901-902DOI
16 
J. Van Bladel, 1985, Field Singularities at the Tip of a Dielectric Cone, IEEE Trans. on Antennas Propag., Vol. 33, pp. 893-895DOI
17 
R. De Smedt, J. Van Bladel, 1986, Field Singularities at the Tip of a Metallic Cone of Arbitrary Cross Section, IEEE Trans. on Antennas Propag., Vol. 34, pp. 865-870DOI
18 
E. Vafiadis, J. N. Sahalos, 1984, Fields at the tip of an elliptic cone, Proceedings of the IEEE, Vol. 72, pp. 1089-1091DOI
19 
M. Bressan, P. Gamba, 1994, Analytical Expressions of Field Singularities at the Edge of Four Right Wedges, IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Vol. 4, pp. 3-5DOI
20 
S. Marchetti, T. Rozzi, 1991, Electric field singularities at sharp edges of planar conductors, IEEE Trans. on Antennas Propag., Vol. 39, pp. 1312-1320DOI
21 
S. Marchetti, T. Rozzi, 1991, H-field and J-current singularities at sharp edges in printed circuits, IEEE Trans. On Antennas Propag., Vol. 39, pp. 1321-1331DOI
22 
S. Mikki, A. M. Alzahed, Y. M. M. Antar, 2019, The Spatial Singularity Expansion Method for Electromagnetics, IEEE Access, Vol. 7, pp. 124576-124595DOI
23 
E. Costamagna, 2000, Conformal Mapping and Field Singularities in Perfectly Conducting Wedge and Rotational Symmetry Structures, Microwave Opt. Technol. Lett., Vol. 24, pp. 191-195DOI
24 
R. De Smedt, J. Van Bladel, 1987, Field singularities near aperture corners, IEEE Proceedings, Vol. 134, pp. 694-698DOI
25 
R. Das, S. Ghosh, R. Chakraborty, 2015, Analysis of electric field for inclined electrodes and use of such configuration for generating tunable differential polarization phase, The European Physical Journal Applied Physics, Vol. 72, pp. 30501-9DOI
26 
Y. Xiang, 2006, The electrostatic capacitance of an inclined plate capacitor, Journal of Electrostatics, Vol. 64, pp. 29-34DOI
27 
Y. Xiang, 2008, Further study on electrostatic capacitane of an inclined plate capacitor, Journal of Electrostatics, Vol. 66, pp. 366-368DOI

저자소개

한인수 (In-Su Han)
../../Resources/kiee/KIEE.2023.72.12.1686/au1.png

In-Su Han was born in Seoul, Republic of Korea in 1975.

He received a BSc in electrical and electronic engineering from Korea Advanced Institute of Science and Technology in 1996.

He received Masters and PhD degrees in electrical engineering from Seoul National University in 1998 and 2005, respectively.

From 2005 to 2007, he was a senior researcher for Samsung SDI, studying electromagnetic simulation for PDPs (plasma display panels), FEDs (field emission displays), and etc.

Since 2007, he has been a senior research for Korea Railroad Research Institute, where he works as a principal researcher in the Railway Designated Certification Department Railway Test & Certification Division recently.

His research interests include electromagnetic field measurements, electromagnetic field simulation, electromagnetic interference & compatibility and analytic electromagnetic field theory.